型号:  NTJD4158CT1G

功能描述:  MOSFET PFET 20V .88A 1OHM

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V, 20 V

Id-连续漏极电流:  250 mA, 880 mA

Rds On-漏源导通电阻:  1.5 Ohms, 500 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  800 mV, 450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V, - 2.5 V

Qg-栅极电荷:  0.9 nC, 2.2 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  270 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.9 mm

长度:  2 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  NTJD4158C

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:  1.25 mm

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  0.08 S, 3 S

下降时间:  78 ns, 3.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  66 ns, 6.5 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  56 ns, 13.5 ns

典型接通延迟时间:  15 ns, 5.8 ns

单位重量:  28 mg