型号: NTLJD3115PT1G/BKN
功能描述: Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN T/R
制造商: on semiconductor
包装： 6WDFN
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 3.3 A
RDS -于： 100@4.5V mOhm
最大门源电压： ±8 V
典型导通延迟时间： 5.2|5.5 ns
典型上升时间： 13.2|15 ns
典型关闭延迟时间： 13.7|19.8 ns
典型下降时间： 19.1|21.6 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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