型号: NTLUD3A260PZTAG
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型： 2 个 P 沟道（双）
FET功能： 逻辑电平门
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 1.3A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 200 毫欧 @ 2A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 4.2nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 300pF @ 10V
功率-最大值： 500mW
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-UDFN（1.6x1.6）
封装形式Package： UDFN
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 1.7A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：陈伟杰
电话：15914022833
Q Q:
联系人：蓝S
Q Q:
联系人：陈先
Q Q:
