型号: NTLUS3A18PZCTAG
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 28nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2240pF @ 15V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 18 毫欧 @ 7A，4.5V
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 6-UDFN（2x2）
封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：郭生
Q Q:
联系人：黄锴鹏
电话：13613013337
Q Q:
联系人：陈加滴
电话：15322888907
Q Q:
