型号: NTMD6P02R2SG
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 P 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.8A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 33 毫欧 @ 6.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 35nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1700pF @ 16V
功率 - 最大值： 750mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOIC N
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