型号: NTMFD4901NFT3G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型： 2 个 N 通道（双），肖特基
FET功能： 逻辑电平门
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 10.3A，17.9A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 6.5 毫欧 @ 10A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 9.7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1150pF @ 15V
功率-最大值： 1.1W，1.2W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-DFN（5x6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
封装形式Package： DFN
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 13.5A/23.4A
无铅情况/RoHs： 否
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