型号: NTMFD4C86NT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 11.3A，18.1A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 5.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 22.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1153pF @ 15V
功率 - 最大值： 1.1W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerTDFN
供应商器件封装： 8-DFN（5x6）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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