型号: NTMFD6H852NLT1G
功能描述: MOSFET N-CH 80V 8DFN
制造商: ON Semiconductor
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 2 N-通道（双）
漏源电压（Vdss）: 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 295mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 26pF @ 20V
功率 - 最大值: 250mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
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