型号: NTMFS4923NET1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 12.7A（Ta），91A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 22nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4850pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 930mW（Ta），48W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3.3 毫欧 @ 30A，10V
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：伍泽敏
电话：13927422306
Q Q:
联系人：朱小姐,雷先生
电话：13544169689
Q Q:
联系人：陈小姐,李小姐,林先生
电话：13543259139
Q Q:
