型号:  NTMFS4936NCT3G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3044pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  920mW（Ta），43W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  3.8 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  8-PowerTDFN，5 引线

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  11.6A（Ta），79A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  43nC @ 10V

漏源电压（Vdss）：  30V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  43nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3044pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  15V

供应商器件封装：  5-DFN（5x6）（8-SOFL）

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs