型号: NTMFS4C020NT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 47A（Ta），303A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 139nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 10144pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta）, 134W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 0.7 毫欧 @ 30A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈先生
电话：15118009911
Q Q:
联系人：黄先生
Q Q:
TEX SEEYAN INTERNATIONAL LIMITED
联系人：LEO
电话：13603075810
Q Q:
