型号: NTMFS4C09NAT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A（Ta），52A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 1.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1252pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 760mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 5.8 毫欧 @ 30A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林先生
电话：13543273033
Q Q:
联系人：王峻
电话：13590187433
Q Q:
联系人：雷小姐，李小姐
电话：18922814805
Q Q:
