型号: NTMFS4H02NT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 37A（Ta），193A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 38.5nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2651pF @ 12V
功率耗散（最大值）： 3.13W（Ta）, 83W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.4 毫欧 @ 30A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳： 8-PowerTDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13693391815
Q Q:
联系人：汤凌峰
电话：13316824656
Q Q:
联系人：肖先生
电话：13640908856
Q Q:
