型号: NTMFS5C426NT3G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 41A（Ta）, 235A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 65nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4300pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta）, 128W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.3 毫欧 @ 50A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：殷晓媚
电话：15919482272
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：15013556471
Q Q:
联系人：沈
电话：8537365
Q Q:
