型号:  NTMS10P02R2G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  8.8A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  2.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1.2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  70nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3640pF @ 16V

Vgs（最大值）：  ±12V

功率耗散（最大值）：  1.6W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  14 毫欧 @ 10A，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：  SOIC

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  20V

连续漏极电流ID：  10A

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  70nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3640pF @ 16V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  14 毫欧 @ 10A，4.5V

FET 类型：  P 沟道

漏源极电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  8.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.2V @ 250µA

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs