型号: NTMS4916NR2G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1376pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 890mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 9 毫欧 @ 12A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 7.8A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 15nC @ 4.5V
漏源电压（Vdss）： 30V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
Vgs（最大值）： ±20V
供应商器件封装： 8-SOIC
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：黄
电话：13724310384
Q Q:
联系人：赵伏光
电话：13632611027
Q Q:
联系人：蔡信亮
电话：13415000122
Q Q:
