型号: NTMS5P02R2G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 3.95A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 1.25V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 35nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1900pF @ 16V
Vgs(最大值): ±10V
功率耗散(最大值): 790mW(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 33 毫欧 @ 5.4A,4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装形式Package: SOIC
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 20V
连续漏极电流ID: 7.05A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 35nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 1900pF @ 16V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 33 毫欧 @ 5.4A,4.5V
FET 类型: P 沟道
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.95A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.25V @ 250µA
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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