型号:  NTND31225CZTAG

功能描述:  MOSFET T1 XLLGA6 DUAL

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  XLLGA-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  220 mA, 127 mA

Rds On-漏源导通电阻:  800 mOhms, 2.1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  400 mV, 1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  -

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  125 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

系列:  NTND31225CZ

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  0.48 S, 0.35 S

下降时间:  80 ns, 171 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  25.5 ns, 71 ns

工厂包装数量:  8000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  142 ns, 280 ns

典型接通延迟时间:  16.5 ns, 37 ns