型号: NTND31225CZTAG
功能描述: MOSFET T1 XLLGA6 DUAL
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: XLLGA-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 220 mA, 127 mA
Rds On-漏源导通电阻: 800 mOhms, 2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV, 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: NTND31225CZ
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 0.48 S, 0.35 S
下降时间: 80 ns, 171 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25.5 ns, 71 ns
工厂包装数量: 8000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 142 ns, 280 ns
典型接通延迟时间: 16.5 ns, 37 ns
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