型号: NTNS3164NZT5G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 361mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 1.5V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.8nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 24pF @ 10V
Vgs(最大值): ±8V
功率耗散(最大值): 155mW(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 700 毫欧 @ 200mA,4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-101,SOT-883
封装形式Package: XDFN
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 20V
连续漏极电流ID: 0.245A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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