型号: NTP27N06L
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 27A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 32nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 990pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 88.2W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 48 毫欧 @ 13.5A，5V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220AB
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：张先生，吴小姐
电话：15807359825
Q Q:
联系人：韩先生
电话：13510177670
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：17819260656
Q Q:
