型号: NTP8G206NG
功能描述: MOSFET GAN 600V 17A 150MO
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: GaN
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 340 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压: 18 V
Qg-栅极电荷: 6.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 96 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: ON Semiconductor
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.5 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 9.7 ns
典型接通延迟时间: 6.2 ns
单位重量: 6 g
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