型号: NTR1P02T3
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 2.5nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 165pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 5V
功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 180 毫欧 @ 1.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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