型号:  NTS2101PT1G

功能描述:  MOSFET -8V -1.4A P-Channel

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-323-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  8 V

Id-连续漏极电流:  1.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  100 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  6.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  290 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.85 mm

长度:  2.1 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  NTS2101P

晶体管类型:  1 P-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  1.24 mm

商标:  ON Semiconductor

下降时间:  18 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  26 ns

典型接通延迟时间:  6.2 ns

单位重量:  5 mg