型号: NTTFS4941NTAG
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8.3A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 22.8nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1619pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 840mW（Ta），25.5W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 6.2 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳： 8-PowerWDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：张先生
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：13662622177
Q Q:
联系人：陈玉
电话：13824367045
Q Q:
