型号: NTTFS4C05NTWG
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 12A（Ta），75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 31nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1988pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 820mW（Ta）, 33W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3.6 毫欧 @ 30A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳： 8-PowerWDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：洪先生
电话：15802056765
Q Q:
联系人：刘清影
电话：18924630310
Q Q:
联系人：柯先生
电话：18926435432
Q Q:
