型号:  NTUD3170NZT5G

功能描述:  MOSFET 20V Trench N-Channel

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-963-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  220 mA

Rds On-漏源导通电阻:  1.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  125 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.37 mm

长度:  1 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  NTUD3170NZ

晶体管类型:  2 N-Channel

类型:  Small Signal MOSFET

宽度:  0.8 mm

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  0.48 S

下降时间:  80 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  25.5 nd

工厂包装数量:  8000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  142 ns

典型接通延迟时间:  16.5 ns