型号: NTZD3155CT2G
功能描述: MOSFET COMP 540mA 20V
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 540 mA, 430 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 6 V
Qg-栅极电荷: 1.5 nC, 1.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.55 mm
长度: 1.6 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: NTZD3155C
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度: 1.2 mm
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 1 S
下降时间: 8 ns, 19 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4 ns, 12 ns
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 16 ns, 35 ns
典型接通延迟时间: 6 ns, 10 ns
单位重量: 3 mg
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