型号: NTZS3151PT1H
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 458pF @ 16V
功率耗散（最大值）： 170mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 150 毫欧 @ 950mA，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 860mA（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 5.6nC @ 4.5V
漏源电压（Vdss）： 20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V
Vgs（最大值）： ±8V
供应商器件封装： SOT-563-6
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈
电话：13682623532
Q Q:
联系人：sam
电话：13924601310
Q Q:
联系人：胡R
电话：83988330
Q Q:
