型号: NUS5530MNR2G
功能描述: MOSFET INTEGRATED POWER BJT
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-8
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 3.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 200 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 35 V
Pd-功率耗散: 635 mW
封装: Reel
产品: MOSFET Small Signal
系列: NUS5530MN
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 12 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 37.400 mg
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