型号: NVB60N06T4G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 60A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 81nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3220pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），150W（Tj）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 14 毫欧 @ 30A，10V
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D2PAK
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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