型号: NVC3S5A51PLZT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 1.8A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.6V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 6nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 262pF @ 20V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 250 毫欧 @ 1A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package： CPH
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 1.8A
无铅情况/RoHs： 否
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