型号:  NVD5890NT4G

功能描述:  MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  40 V

Id-连续漏极电流:  123 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  74 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  107 W

配置:  Single

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  NVD5890N

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  16.8 S

下降时间:  7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  55 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  35 ns

典型接通延迟时间:  14 ns

单位重量:  4 g