型号: NVDD5894NLT4G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 14A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 10 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2103pF @ 25V
功率 - 最大值： 3.8W
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
供应商器件封装： D-Pak 5-引线
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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