型号: NVHL020N120SC1
功能描述: SIC MOS TO247-3L 20MW 120
制造商: ON Semiconductor
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 103A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 28毫欧 @ 60A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.3V @ 20mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 203nC @ 20V
Vgs(最大值): +25V,-15V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2890pF @ 800V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 535W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3 变式
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