型号: NVJD4152PT1G
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：880mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：260mΩ @ 880mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：272mW 类型：双P沟道
制造商: ON(安森美)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 880mA
栅源极阈值电压: 1.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 260mΩ @ 880mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 272mW
类型: 双P沟道
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：陈国培
电话：13421306906
Q Q:
联系人：蔡泽涛
电话：13692209562
Q Q:
联系人：杨文炎
电话：13828847993
Q Q:
