型号:  NVJS4151PT1G

功能描述:  MOSFET 20V 4.2A 60MOHM PFET

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  3.2 A

Rds On-漏源导通电阻:  55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  10 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.2 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  12 S

下降时间:  4.2 us

产品类型:  MOSFET

上升时间:  1.7 us

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  2.7 us

典型接通延迟时间:  850 ns

单位重量:  7.500 mg