型号:  NVMFD5C672NLT1G

功能描述:  MOSFET T6 60V LL S08FL DS

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  49 A

Rds On-漏源导通电阻:  9.8 mOhms, 9.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  12.3 nC, 12.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  45 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

系列:  NVMFD5C672NL

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  27.5 S, 27.5 S

下降时间:  28 ns, 28 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  30 ns, 30 ns

工厂包装数量:  1500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  22 ns, 22 ns

典型接通延迟时间:  11 ns, 11 ns