型号: NVMFS5844NLT3G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1460pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），107W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 12 毫欧 @ 10A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 11.2A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 30nC @ 10V
漏源电压（Vdss）： 60V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
Vgs（最大值）： ±20V
供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：刘钰泉
电话：15675495666
Q Q:
联系人：吕先生
Q Q:
联系人：沈绪根
电话：18148590336
Q Q:
