型号: NVMFS5C410NT1G
功能描述: 40V, 300A, 0.92MOHM, SO-8FL
制造商: ON Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 86nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 6100pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta）, 166W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 0.92 毫欧 @ 50A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerTDFN
封装形式Package： DFN
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 40V
连续漏极电流ID： 46A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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