型号: NVMFS5C430NLWFT3G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 4300pF @ 20V
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),110W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 1.5 毫欧 @ 50A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss): 40V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 70nC @ 10V
漏源电压(Vdss): 40V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
Vgs(最大值): ±20V
供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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