型号: NVMFS5H663NLT1G
功能描述: MOSFET T8 60V LOW COSS
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-5
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 67 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 17 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 63 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 64 S
下降时间: 9.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 52.7 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26.2 ns
典型接通延迟时间: 13.4 ns
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