型号: NVMFS6H800NLT1G
功能描述: MOSFET N-CH 80V DFN5
制造商: ON Semiconductor
包装: 标准卷带
系列: 汽车级，AEC-Q101
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 30A（Ta），224A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 1.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 330µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 112nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 6900pF @ 40V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.9W（Ta），214W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线
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