型号: NVMYS2D2N06CLTWG
功能描述: TRENCH 6 40V SL NFET
制造商: ON Semiconductor
包装: 标准卷带
系列: 汽车级，AEC-Q101
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 31A（Ta），185A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 1.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 180µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 69nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4850pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.9W（Ta），134W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK4（5x6）
封装/外壳: SOT-1023，4-LFPAK
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