型号: NVTFS5820NLTWG
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 11A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 28nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1462pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），21W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 11.5 毫欧 @ 8.7A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerWDFN
封装形式Package： WDFN
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 11A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：刘
电话：13537590237
Q Q:
联系人：王先生
电话：13311362106
Q Q:
联系人：吴
电话：13424180839
Q Q:
