型号: NVTR01P02LT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 1.3A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 2.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.25V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 3.1nC @ 4V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 225pF @ 5V
Vgs（最大值）： ±12V
功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 220 毫欧 @ 750mA，4.5V
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package： SOT-23
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 1.3A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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