型号:  NX2301P

功能描述:   Trench MOSFET,P channel 20V,2A SOT23

制造商:  NXP

通道模式：  Enhancement

渠道类型：  P

外形尺寸：  3 x 1.4 x 1mm

身高：  1mm

长度：  3mm

最大连续漏极电流：  -2 A

最大漏源电阻：  120 mΩ

最大漏源电压：  20 V

最大门源电压：  ±8 V

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  400 mW

最低工作温度：  -55 °C

安装类型：  Surface Mount

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  SOT23

引脚数：  3

典型栅极电荷@ VGS：  4.5 nC

典型输入电容@ VDS：  380 pF

典型关闭延迟时间：  50 ns

典型导通延迟时间：  7 ns

宽度：  1.4mm

晶体管极性：  :P Channel

Continuous Drain Current Id：  :-2A

Drain Source Voltage Vds：  :-20V

On Resistance Rds(on)：  :0.1ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :-4.5V

Threshold Voltage Vgs：  :-750mV

功耗：  :400mW

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-23

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

工作温度范围：  :-55°C to +150°C

封装：  :Cut Tape

Weight (kg)：  0.000007

Tariff No.：  85412100

associated：  D008403209885-M