型号: NXH80T120L2Q0S2G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
IGBT 类型： 沟槽型场截止
配置： 三级反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 57A
功率 - 最大值： 125W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.85V @ 15V，80A
电流 - 集电极截止（最大值）： 300µA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）： 19.4nF
电压，耦合至输入电容（Cies）@ Vce： 25V
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 是
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： 模块
供应商器件封装： 18-PIM/Q0PACK（55x32.5）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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