型号: P1025HDB
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：460mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W 类型：N沟道
制造商: NIKO-SEM(尼克森)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 250V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 10A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 460mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 52W
类型: N沟道
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