型号: P2504EDG
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：25.8mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：P沟道
制造商: U-NIK(旭康)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 18A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 25.8mΩ @ 18A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 42W(Tc)
类型: P沟道
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