型号: P2804ND5G
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A,21A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 7A,10V;48mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W 类型：N沟道和P沟道
制造商: NIKO-SEM(尼克森)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 16A,21A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 28mΩ @ 7A,10V;48mΩ @ 5.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 21W
类型: N沟道和P沟道
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